0购物车
不要让您的购物车空着哦,快去逛逛吧
0购物车
不要让您的购物车空着哦,快去逛逛吧
首页 > 传感器资讯 > 国博电子:拟开展射频集成电路产业化项目二期建设

国博电子:拟开展射频集成电路产业化项目二期建设

大半导体产业网消息,国博电子2月22日发布公告称,根据射频集成电路产业化项目整体规划,公司拟使用自有或自筹资金购买位于南京市江宁区金鑫西路以东、凤矿路以西地块的土地使用权(最终购买金额和面积以实际出让文件为准),并开展射频集成电路产业化项目二期建设。

公告显示,本次项目投资预计为6.98亿元,其中土地使用权购置费预计0.40亿元,设计采购施工总承包费用预计6.02亿元。

据了解,射频集成电路产业化项目总投资16.62亿元,分两期建设。目前一期已基本完成中试厂房、芯片厂房和模块厂房的建设和工艺设备购置。

下一篇:乘联会崔东树:建议汽车保有量低于400万的城市放开限购
上一篇:国轩高科获大众汽车集团电芯测试实验室资质认证

帮助中心

商品已成功加入购物车!