大半导体产业网消息，捷捷微电2月22日发布公告称，拟对全资子公司捷捷半导体有限公司投建的“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目“增加投资，由最初的5.1亿元上调至8.1亿元，其中设备投资5.23亿元。

捷捷微电表示，此次项目总投资变更是出于公司战略规划和经营发展需要、项目所需设施设备及其他费用的增加等因素，建设目标与规模符合企业当前及未来发展要求，同时也有利于提升公司功率半导体进口替代能力和持续经营能力、综合实力及竞争力。

据此前消息，该项目计划采用深Trench刻蚀及填充工艺、高压等平面终端工艺。主要产品为快恢复二极管芯片及器件，IGBT模块配套用高电压大通流整流芯片，低电容、低残压等保护器件芯片及器件，中高电压功率集成芯片，平面可控硅芯片及其他芯片产品等。