三星电子日前宣布，公司已经开发出16Gb DDR5 DRAM，该DRAM采用12nm级工艺技术制造，并完成了与AMD兼容性的产品评估。

三星电子表示，这一技术是通过使用增加电池电容的新型高κ材料和改善关键电路特性的专有设计技术实现的。结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术，可将晶圆生产率提高20%。利用最新DDR5标准，三星的12纳米级DRAM将有助于解锁高达每秒7.2Gbps的速度。另外，12纳米级DRAM的功耗比以前的DRAM低23%。

该存储芯片将于2023年开始，三星计划将其基于这种尖端12纳米级工艺技术构建的DRAM产品线扩展到广泛的细分市场。

（JSSIA整理）