近日，国内SiC功率器件企业清纯半导体推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET产品——S1M014120H，并通过了车企和tier1厂商的测试。
1200V/14mΩ SiC MOSFET晶圆采用S1M014120H的1200V/800A功率模块，可以在更大的栅极驱动电压范围内工作，以适应不同驱动电路的开发需求。其最高允许工作结温为175℃，进一步提升了器件的载流能力，有助于实现更高的功率密度。
（JSSIA整理）
近日，国内SiC功率器件企业清纯半导体推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET产品——S1M014120H，并通过了车企和tier1厂商的测试。
1200V/14mΩ SiC MOSFET晶圆采用S1M014120H的1200V/800A功率模块，可以在更大的栅极驱动电压范围内工作，以适应不同驱动电路的开发需求。其最高允许工作结温为175℃，进一步提升了器件的载流能力，有助于实现更高的功率密度。
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