10月23日，士兰微发布对外投资进展公告称，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。据悉，士兰明镓SiC功率器件生产线项目正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。

除了士兰明镓SiC功率器件生产线项目取得新进展外，士兰微还在10月14日宣布拟定增募资不超过65亿元，用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目(一期)和补充流动资金。士兰微后续在IGBT、SiC和车规级功率模块领域的发展将获得充足的产能保障。

（协会秘书处）