CrGeTe₃ 材料边缘的纳米级磁性显微图像示例（图自：Ori Lerman）
由耶路撒冷希伯来大学（HU）拉卡物理研究所的 Yonathan Anahory 博士带领的这支研究团队（包括 HU 博士生 Avia Noah），早前在《Nano Letters》期刊上介绍了剥离 CrGeTe₃ 薄膜的内部和边缘磁化现象。
左为 Avia Noah，右为 Yonathan Anahory（来自：Hebrew University）
研究人员惊讶地表示，这是他们首次见到具有“边缘磁性”特征的纳米磁体图像。更确切地说，这种铬（Cr）锗（Ge）碲（Te）材料仅在边缘保留了 10nm 的磁性范围（约为人类头发丝直径的万分之一）。
研究配图 - 1：CrGeTe₃ / NbSe₂ 磁阻和相应的 4.2K 时 SOT 图像
Anahory 指出，尽管纳米磁效应很微小，但它还是有望在日常生活中得到广泛的应用 ——“在让组件变得更小、更节能的技术竞赛中，许多研究都将目光瞄向了不同形状的小型磁铁上”。
研究配图 2-3：双层 / 不同厚度的 SOT 扫描图像
而这种新发现的边缘磁性现象，预示着厚度仅 10nm、且可弯曲成任何形状的长线磁铁的可能性，甚至彻底改变我们制造自旋电子设备的方式 —— 比如具有更低功耗、更高内存和处理能力的下一代纳米电子设备。
研究配图 4-5：薄片内部 / 零场边缘 SOT 显微、以及不同厚度的局内部磁性结构示意图
SCI Tech Daily 指出：起初 Anahory 只是想要了解西班牙马德里自治大学的同僚们打造的 CGT 纳米磁性材料，结果借助以色列开发的新型磁显微镜，意外观察到了特殊的边缘磁性现象。
最后，新发现依赖于高度复杂的新技术，且纳米级微观现象本身也成为了证明其它更先进技术的核心。
