ASML自信满满地指出“在元件方面，目前的技术创新足够将芯片的制程推进至至少1纳米节点，包括gate-all-around FETs（环绕栅极晶体管），nanosheet FETs，forksheet FETs以及complementary FETs”。
此外，光刻系统分辨率的改进（预计每6年左右缩小2倍）和边缘放置误差（EPE）对精度的衡量也将进一步推动芯片尺寸缩小的实现。
据了解，纳米之后将进入埃米时代，台积电、Intel等都制定了雄心勃勃的埃米工艺早期路线图。也许，技术创新之所以弥足珍贵，内核要义就在于不会被困难打倒。
