美光周四宣布推出业界首款具有 232 层的 3D NAND 存储器。该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于包括固态驱动器在内的各种产品，并计划有时在 2022 年末开始增加此类芯片的生产。
美光的 232 层 3D NAND 设备采用 3D TLC 架构，原始容量为 1Tb (128GB)。该芯片基于美光的 CMOS 阵列下 (CuA) 架构，并使用 NAND 串堆叠技术在彼此之上构建两个 3D NAND 阵列。
与232层NAND芯片相结合的CuA设计将大大减少美光1Tb 3D TLC NAND存储器的裸片尺寸，这将降低生产成本，并使美光能够更积极地为具有这些芯片的设备定价，或者增加更多的利润。
美光没有公布其新型 232L 3D TLC NAND IC 的 I/O 速度或平面数量，但暗示新内存将提供比现有 3D NAND 设备更高的性能，这对于下一代 SSD 尤其有用具有 PCIe 5.0 接口的SSD特别有用。
谈到 SSD，美光科技和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出，该公司与内部和第三方 NAND 控制器（用于 SSD 和其他基于 NAND 的存储设备）的开发人员密切合作，，以实现对新型内存的适当支持(。
在232层3D TLC NAND节点的其他优势中，美光提到了比上一代节点更低的功耗，考虑到美光一直以来对移动应用的关注以及与相关设备制造商的关系，这将是另一个优势。
考虑到美光公司将在2022年晚些时候开始生产232层3D TLC NAND器件，我们可以预计由新存储器驱动的SSD将在2023年的某个时候上市。
