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据semimedia报道，恩智浦斥资1亿美元，用于扩建5G手机网络晶体管和RF功率放大器的生产线在美国亚利桑那州钱德勒工厂（Chandlerfactory）日前正式投入运营。
该生产线已经雇佣约100名员工从事氮化镓（GaN）的制造工作，该工艺技术可以用于在6英寸晶圆上生产单片微波集成电路，由于对发射功率的特殊要求，5G基站对功率放大器提出了更多需求。氮化镓凭借高频、高输出功率的优势，正在5G基站功率放大器领域得到越来越广泛的应用。
此外，在恩智浦钱德勒硅制造厂附近，还有250名工人从事氮化镓的制造和研发工作。
恩智浦表示，这座新工厂将生产 6 英寸芯片，此类芯片的尺寸是大多数传统硅芯片的一半，但在替代材料中很常见。
该公司表示，新工厂将有一个研究和开发中心，以帮助工程师加速氮化镓半导体的开发和专利申请。
恩智浦表示，预计该厂将于年底前达到全部生产能力。
氮化镓是硅的替代品。这种材料是 5G 网络中的一个关键成分，因为它可以处理 5G 网络中使用的高频，同时比其他芯片材料消耗更少的功率和占用更少的空间。
