据路透社报导，半导体设备巨头ASML的新一代High-NA EUV设备订价约4亿美元，折合27亿人民币。据悉该设备精密度更高、所使用的零部件更多，机型比上一代大出30%，大小如同双层巴士。
在2022年3月23日， 美国消费者新闻与商业频道（CNBC）发布了针对全球光刻机龙头ASML的采访视频，除了展示了ASML的EUV光刻机工厂外，还曝光了ASML新一代高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5000系列。
为克服技术挑战，ASML正与全球最大的微电子研发机构IMEC共同建立测试实验室。据悉，ASML原型机将在2023年上半年完成。
ASML对外表示，2021年第四季度已收到5个预定High-NA EUV的订单。
早在2021年7月，Intel就表态致力于成为高NA光刻机的首个客户，Intel营销副总裁Maurits Tichelman重申了这一说法，并将高NA EUV光刻机视为一次重大技术突破。
半导体制造设备可以分为前道设备和后道设备。其中，前道制造设备主要包括光刻机、涂胶显影设备、刻蚀机、去胶机、薄膜沉积设备、清洗机、CMP设备、离子注入机、热处理设备、量测设备；后道制造设备主要包括减薄机、划片机、装片机、引线键合机、测试机、分选机、探针台等。
有统计数据显示，光刻工艺是晶圆制造过程中占用时间比最大的步骤，约占晶圆制造总时长的40%-50%。可以说，如果没有光刻机，芯片便无法制造。
荷兰的ASML公司是全球光刻机领域的翘楚，也是全球唯一一家极紫外光微影技术光刻机的公司。ASML推进的High-NA 曝光技术正是延续摩尔定律的关键所在。
当前半导体的工艺制程已经推进到3纳米，台积电正在向1纳米冲击。而要实现这些先进工艺，则离不开高端的光刻机。
ASML发言人曾向媒体介绍，更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高NA EUV光刻机。
当然，ASML并不能独立做出高NA EUV光刻机，还需要德国蔡司以及日本光刻胶涂布等重要厂商的支持。
ASML现售的0.33NA EUV光刻机拥有超10万零件，需要40个海运集装箱或者4架喷气货机才能一次性运输完成，单价1.4亿美元左右。
此次新一代High NA EUV光刻机可以减少对微电路的绘制次数。其特点是将透镜的数值孔径（NA）从0.33提高到0.55。这就减少了刻有电路图案的掩模的数量，从而降低了成本并缩短了工艺时间。
